GT Advanced Technologies將出席10月16-17日舉行的LED Forum Taipei 2013

新罕布什爾州梅里馬克，2013年10月15日(GLOBENEWSWIRE)–GT Advanced Technologies(Nasdaq:GTAT)將出席於2013年10月16至17日在臺灣臺北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時，GT技術總裁Raghavan博士將與與會者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系統的關鍵元素以及該系統預期能為製造商帶來的優勢。

今年5月，GT宣佈將利用Soitec PhoenixLabs（Soitec旗下附屬公司）獨家擁有的HVPE專利技術，包括有望降低輸送至HVPE反應器的前驅體成本的新穎且先進的源輸送系統，開發、生產及商業化HVPE系統。這套HVPE系統可實現藍寶石基GaN的規模化、低成本生產。GT估計其HVPE系統可降低超過80%的前驅體成本，同時提升昂貴的MOCVD製程的產量，並且最高可降低25%的資本支出。HVPE系統預計將於2014年下半年上市。

有關LED Forum Taipei 2013研討會相關議程資訊，請瀏覽http://seminar.ledinside.com/Ledforum/current/US/agenda/。GT的相關文稿載於本公司網站http://investor.gtat.com/events.cfm。

關於GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一間多元化科技公司，為全球太陽能、LED及電子行業提供創新的晶體生長設備及解決方案。我們的產品促進了提高性能、降低生產成本的新興先進材料的推廣應用。有關GT Advanced Technologies的更多資訊，請瀏覽www.gtat.com。