IR Gen8 1200V IGBT技術平台 為工業應用提升基準效率及耐用性
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越的性能。
嶄新的Gen8設計讓頂尖的Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台，彰顯出我們在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分百變頻，藉以更有效使用電能，並且綠化環境。」
新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關閉(ofter turn-off )功能，有助於把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過壓，以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄，在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時，可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻和達到175°C的最高結溫。
潘氏稱：「IR的Gen8 IGBT平台旨在為工業應用提供卓越的技術。該IGBT平台憑藉頂尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能，把工業市場所面對的艱巨難題迎刃而解。」
產品規格
| IR 元件編號 |
VCES |
IC (NOM) |
VCE(ON) (典型) |
封裝 |
| IRG8CH15K10F |
1200V |
10A |
1.7 |
膜上晶片 |
| IRG8CH20K10F |
15A |
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| IRG8CH29K10F |
25A |
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| IRG8CH38K10F |
35A |
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| IRG8CH42K10F |
40A |
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| IRG8CH50K10F |
50A |
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| IRG8CH76K10F |
75A |
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| IRG8CH97K10F |
100A |
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| IRG8CH137K10F |
150A |
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| IRG8CH182K10F |
200A |
產品供應
IR的Gen8 1200V IGBT平台的樣本現供應予各大原始設備製造商 (OEM) 及原始設計製造商 (ODM) 合作夥伴。
欲進一步瞭解更多資訊，敬請瀏覽IR網站 www.irf.com。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。