IR推出25V DirectFET晶片特別為高頻和高效率DC-DC應用作最佳化
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組,適用於負載點 (POL) 轉換器設計,以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術,把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積,並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻 (RDS(on)) 非常低,也同時具備極低的閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) ,以提升效率和溫度效能,並可在每相位逾25A的情況下運作。
IR台灣分公司總經理朱文義表示:「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷,而且,當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時,能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案,讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」
IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ,則可大幅減低開關損耗,使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。
IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on),故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗,這些新元件就能顯著減少傳導損耗,所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積,因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
產品基本規格如下:
元件編號 |
BVDSS (V) |
在10V下 典型RDS(on) (mOhms) |
在4.5V下典型RDS(on) (mOhms) |
VGS (V) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
外型代碼 |
IRF6710S2 | 25 | 4.5 | 9.0 | +/-20 | 8.8 | 3.0 | S1 |
IRF6795M | 25 | 1.1 | 1.8 | +/-20 | 45 | 15 | MX |
IRF6797M | 25 | 1.4 | 2.4 | +/-20 | 35 | 10 | MX |
產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS),並已接受批量訂單。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。